应力释放诱导的酞菁钴转子阵列

摘要：

利用低温扫描隧道显微镜研究了酞菁钴(CoPc)分子在Cd(0001)表面上形成的自组装单层和转子阵列.在低温生长的酞菁钴分子单层中发现了应力诱导的3种空位结构:单分子空位、两分子空位和三分子空位.研究发现高温退火会导致结构相变:3种空位结构转变为均匀分布的单分子空位阵列.特别有趣的是,在每个单分子空位内部都存在一个酞菁钴转子.在液氮温度下(78 K),酞菁钴转子围绕着空位中心发生偏心转动;在液氦温度下(4.7 K),转子被冻结在空位的边缘上.

关键词：扫描隧道显微镜、酞菁钴分子、金属Cd (0001)、酞菁钴转子

所属期刊栏目：44

分类号：O485(固体物理学)

资助基金：中央高校基本科研业务费专项资金项目XDJK2018D025;重庆市教委研究生科研创新项目CYS17085

在线出版日期：2019-07-22（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：19-23