电场和线度对纳米管电子量子跃迁矩阵元的影响
在有效质量近似下详细推证了强均匀外电场作用下纳米管中电子的能量和波函数,在此基础上,得到光波辐照下电子的跃迁矩阵元。以CdS/HgS/CdS纳米管为例,讨论了线度和外电场对它的电子跃迁矩阵元的影响,结果表明:相同线度的纳米管在不同能带不同能级间的量子跃迁矩阵元,要比同能带不同能级的跃迁矩阵元约大1万倍;纳米管矩阵元均随电场增大而减小,电场较小时变化较快,而电场较大时变化较慢;在电场一定的情况下,纳米管矩阵元均随线度增大而增大。
半导体纳米管、量子跃迁矩阵元、电场
O472+.3(半导体物理学)
重庆市教育委员会科学技术研究基金KJ121209资助的课题
2014-04-09(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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