聚苯胺/掺锑二氧化锡导电复合材料的制备与表征
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10.3969/j.issn.1000-5471.2006.02.019

聚苯胺/掺锑二氧化锡导电复合材料的制备与表征

引用
以十二烷基苯磺酸(DBSA)/HCl混酸为掺杂剂,过硫酸胺(APS)为引发剂,采用原位聚合法制备了聚苯胺/掺锑二氧化锡(ATO)导电复合材料.探讨了ATO用量对导电复合材料电导率的影响,在n(ANI):n(APS):n(DBSA)=1:1:0.7,m(ATO):m(ANI)=0.1:1时,复合材料室温25℃的电导率最高可达8.35 S·cm-1.通过FT-IR,XRD,SEM对其进行了表征.结果表明,ANI优先在ATO粒子表面聚合,形成聚苯胺包覆ATO的导电复合材料.

聚苯胺、掺锑二氧化锡、原位聚合法、导电复合材料、电导率

31

TB332(工程材料学)

2006-05-15(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)

共6页

77-82

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西南师范大学学报(自然科学版)

1000-5471

50-1045/N

31

2006,31(2)

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