以NiFeNb为新种子层的纳米级坡莫合金薄膜的各向异性磁电阻

摘要：

以三元合金NiFeNb作新种子层,采用直流磁控多靶设备制备了具有不同Nb含量(x)、NiFeNb厚度(t)和坡英合金厚度(d)的纳米级(Ni82Fe18)1-xNbx(tnm)/Ni82Fe18(d nm)/Ta(3 nm)坡莫合金系列膜.测量了样品的各向异性磁电阻和微结构.从实验角度详细研究了AMR随x,t,d和退火等工艺条件的变化.结果表明:①作为x或t的函数,AMR在x=23.8%或x=2.75 nm处分别最大;②NiFeNb作为种子层在提高坡莫合金薄膜各向异性磁电阻方面优于Ta;③在通过中高温退火来改善坡莫合金薄膜AMR方面,NiFeNb种子层明显好于Ta和NiFeCr.

关键词：各向异性磁电阻、坡莫合金薄膜、新种子层

所属期刊栏目：29

分类号：O484.4+3(固体物理学)

资助基金：国家自然科学基金10147207;重庆市科委科研项目20033-6111;重庆邮电学院校科研和教改项目2004A-11

在线出版日期：2005-01-06（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：953-956