10.3969/j.issn.1000-5471.2004.03.020
层间互作用势对HgS/CdS柱状超晶格电子能带结构的影响
给出了柱状超晶格层间互作用势随径向的变化关系,用微扰法求出了考虑层间互作用情况下HgS/CdS柱状超晶格电子能带结构,讨论了层间相互作用对电子能带结构的影响.结果表明:考虑层间相互作用后HgS/CdS柱状超晶格中电子仍具有能带结构.且能带宽度随势垒宽度的减小而增大,而禁带宽度则相反.内层介质半径增大时,能带宽度将增大,而禁带宽度将减小;层间作用的存在使能带结构向上移动,而带宽稍有增大,禁带宽度稍有减小.
HgS/CdS柱状超晶格、能带结构、层间互作用
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O481.1(固体物理学)
国家自然科学基金10147207
2004-07-31(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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