10.3969/j.issn.1000-5471.2003.02.015
金刚石膜微结构分析
对在Si(100)基底上利用化学汽相沉积(CVD)法制备的金刚石膜, 采用X-射线衍射(XRD)技术和正电子湮没谱学(PAS)原理进行了有关物相成分和微结构的测量分析. 研究发现, 在金刚石膜中微观缺陷的产生取决于薄膜生长过程的控制和基底表面局域生长环境的条件差异. 结果表明, 金刚石膜体和表面的结晶、微晶和非晶结构与正电子谱分析的3种正电子态相符合.
金刚石膜、X-射线衍射、正电子湮没谱
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O484.1(固体物理学)
2004-01-08(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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