叶面喷施硅对镉胁迫番茄叶片PS Ⅱ电子传递的影响

摘要：

[目的]本文探究了喷施Si对Cd胁迫下番茄叶片光系统Ⅱ电子传递的影响,为低Si吸收作物番茄栽培过程中硅肥的合理施用、防治镉污染提供理论依据.[方法]以"耐裂王"番茄为材料,利用盆栽法模拟不同Cd含量的土壤,喷施不同浓度的Si溶液,采用Dual-PAM-100双通道荧光测定仪分析测定PS Ⅱ快速叶绿素荧光诱导动力学特性.[结果]镉胁迫可导致快速叶绿素荧光诱导动力学曲线改变,最小荧光值(Fo)和K相相对可变荧光(Vk)显著增加.喷施Si可以降低Cd胁迫下番茄叶片的Fo和Vk.镉胁迫引起单位反应中心吸收的光能(ABS/RC)、捕获的光能(TRo/RC)和热耗散的能量(DIo/RC)增加,而降低单位反应中心传递的能量(ETo/RC)、PS Ⅱ最大电子传递速率(ETRmax)和光合性能(PIabs),导致番茄叶片光合机构完整性被破坏,单位PSⅡ反应中心数量发生变化,PS Ⅱ供、受体侧受到毒害,抑制光合电子传递.喷施Si可以降低Cd胁迫下番茄叶片ABS/RC、TRo/RC和DIo/RC,提高ETo/RC、PS Ⅱ和PSI的ETRmax、最小饱和光强(Ik)和PIabs.[结论]喷施Si能稳定Cd胁迫下番茄叶片的光合系统的结构和功能,缓解Cd胁迫对番茄叶片光合性能的抑制.

关键词：番茄、镉胁迫、硅、快速叶绿素荧光

所属期刊栏目：33

分类号：S641.2

资助基金：四川省科技计划项目;现代农业产业技术体系专项资金

在线出版日期：2021-03-11（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共8页

页码：2897-2904