镉胁迫条件下硅对果蔗幼苗生长及镉吸收的影响

摘要：

[目的]探究镉(Cd)胁迫条件下硅(Si)对果蔗生长及Cd吸收的影响.[方法]采用砂培试验的方法,以广西普遍种植果蔗品种(Badila)为材料,研究不同Si施量(0、10、20和40 mg/L)对Cd胁迫条件下的果蔗生长指标及Cd吸收的影响.[结果]Cd胁迫条件下,与未施Si的对照处理相比,各施Si处理下果蔗鲜重、株高、根长等指标均有所增加,其中Si用量为20 mg/L处理的果蔗鲜重、株高和根长等指标均为最高,分别比对照处理增加78.74％、303.98％和85.11％.与未施Si相比,各施Si处理果蔗根茎叶Cd的含量均显著降低,降幅达31.69％ ～61.24％.各施Si处理均可显著增加Cd从根系向叶的转运,转运因子相比对照分别增加27.27％、72.73％和36.36％.[结论]Cd胁迫条件下,施Si可以促进果蔗幼苗的生长,降低果蔗根茎叶中镉的含量,一定程度上缓解了镉对果蔗的毒害作用.

关键词：镉胁迫、硅、果蔗、幼苗生长

所属期刊栏目：30

分类号：S566.1(经济作物)

资助基金：广西农业科学院基本科研业务专项重点项目桂农科2015YZ11;广西基本科研业务专项团队项目2015YT92

在线出版日期：2017-10-16（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：1899-1903