基于GaN开关管高频手机适配器研究

摘要：

基于开关管高频化的问题,提出了符合MATLAB仿真的一种GaN开关管高频手机适配器的实验研究.通过对次级谐振有源钳位反激电路的仿真模型分析,设计了一种基于GaN开关管高频手机适配器.根据对有源钳位反激和无源钳位反激的比较分析,得出无源钳位反激的局限性.在有源钳位反激中,对比分析初级谐振和次级谐振,提出初级谐振的不足同时凸显次级谐振的优势.设计通过相应的控制策略和参数设定,能够提高适配器充电效率和变换器的功率密度,减少开关损耗,安全可靠.

关键词：GaN开关管、有源钳位反激、无源钳位反激、次级谐振的ACF、充电效率

所属期刊栏目：42

分类号：TN86(无线电设备、电信设备)

资助基金：重庆市技术创新与应用发展专项面上项目cstc2019jscx-msxmX0003

在线出版日期：2020-11-27（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共8页

页码：156-163