10.13718/j.cnki.xdzk.2017.03.018
As压调制的InAlAs超晶格对InAs纳米结构光学特性的影响
利用固源分子束外延(MBE)设备生长出InAs/InAlAs/InP(001)纳米结构材料,探讨了As压调制的InAlAs超晶格对InAs纳米结构光学特性的影响.结果表明,As压调制的InAlAs超晶格能有效地调整InAs纳米结构的形貌特性、发光峰位,改善发光线宽,提高辐射效率,从而有利于其在长波长光电器件方面的应用.
InAlAs超晶格、InAs纳米结构、光学特性
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O47(半导体物理学)
国家自然科学基金60990315;国家重点基础研究发展规划项目2006CB604904;河北省科学技术研究与发展指导项目Z2010112;河北省科技支撑计划项目10213936,10213938;邯郸学院博士科研启动经费项目2009002
2017-05-16(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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