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利用下端腐蚀法制备纳米级STM探针

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在深入分析电化学腐蚀原理的基础上,发现了一种提高针尖的尖锐程度的新方法,即:利用下端腐蚀方法得到了比传统的上端腐蚀方法更尖锐的针尖.通过对腐蚀电压、腐蚀溶液浓度、切断时间的研究和分析,总结出下端腐蚀法制备纳米级STM探针的最佳综合条件;并通过对前人方案的修改和完善,研制了一套自动控制切断电路装置,该电路装置可以任意设置切断条件,以此得到不同粗细的针尖;最后将据此制作的纳米级针尖成功地应用于Unisoku-STM仪器的扫描,得到了清晰、稳定的原子级分辨Bi (0001)图像.

扫描隧道显微镜、电化学腐蚀、液膜法、自动切断电路、STM探针制备

33

O469(真空电子学(电子物理学))

国家大学生创新实验基金资助项目091063535

2012-05-28(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)

39-44

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西南大学学报(自然科学版)

1673-9868

50-1189/N

33

2011,33(5)

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