高功率半导体激光器列阵锁相单元间耦合系数的数值分析
基于半导体激光器列阵的高斯光束,推导了外腔半导体激光器列阵锁相单元间的耦合系数,数值计算了侧模各单元间的耦合系数与外腔长度的关系.研究结果表明:同阶侧模各级次耦合系数的极大值随着耦合级次的增大而减少,并且其极大值所对应的腔长随着耦合级次的增大而增大;不同阶侧模同级次耦合系数的极大值所对应的腔长随着阶次的增大而减少.研究结果与已有的实验报道和理论分析相符.
半导体激光器列阵、高斯光束、锁相、侧模、耦合系数
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TN248.4(光电子技术、激光技术)
重庆市教委科技技术基金KJ091307
2010-07-27(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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