V,Cr掺杂AlP稀磁半导体的电子能态密度和磁性研究
在共轭梯度近似(GGA)下, 采用基于密度泛函理论的第一性原理平面波赝势方法, 对V,Cr掺杂闪锌矿AlP半导体的基态电子能态密度和磁性进行了研究. 结果表明, 掺入V和Cr后的AlP明显具有铁磁性, 每个超晶胞总磁矩为2.0和3.0 μB, 并具有显著的半金属特征. 这对在半导体工业中实现自旋载流子的注入具有一定的理论价值.
第一性原理、稀磁半导体、电子能态密度、半金属相、磁性
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O482.54(固体物理学)
重庆市教委科学技术研究项目KJ081211;KJ071206;重庆文理学院科学技术研究项目Y2006WX67;Y2008J25
2009-04-21（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）
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