Si3P4各种相的结构、电子和弹性性质

摘要：

采用密度泛函理论的定域密度和一般梯度近似,研究了Si3P4 5个相的结构、电子和弹性性质.考虑的Si3P4结构包括分别具有空间群P63/m,Fd-3m,P-42m,IM-3M,P-43m的β,γ,膺立方、立方和缺损立方相.总的能量计算表明,具有缺损闪锌矿结构的膺立方和缺损立方相相对于其它相能量最低,因而是最稳定的2个相.弹性常数计算表明,两个相对稳定的相有大的应变模量,因而结构上较硬.能带结构和分波态密度计算表明,在两种近似下,膺立方和缺损立方是半导体,而β,γ和立方相是金属.

关键词：磷化硅、稳定性、能带结构、硬度

所属期刊栏目：29

分类号：O471.1(半导体物理学)

资助基金：重庆市自然科学基金2003-8111

在线出版日期：2007-07-02（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共8页

页码：1-8