磁控溅射制备CdS/ZnO复合薄膜及其光电性能研究
采用射频磁控溅射两步法制备出CdS/ZnO复合膜,并通过XRD、SEM、AFM、UV-vis、IPCE表征了制备的薄膜.SEM及AFM测试表明,相比于单独的CdS薄膜,CdS/ZnO复合膜的表面形成了更加明显的介孔结构;光电转换效率测试表明,相比单独的CdS薄膜,CdS/ZnO复合膜表现出更高的光电转换效率,0V(vs.Ag/AgCl)偏压下,IPCE值由36.1％ (410nm)增大到66.1％ (410nm).光电转换效率的增加一方面是由介孔表面引起的光吸收增加以及表面活性位增多引起;另一方面,两种半导体的复合形成异质结,异质结的形成促进了光生电子-空穴的分离,提高了薄膜的光电转换效率.
CdS/ZnO、异质结、介孔结构、光电转换效率、电荷分离、光解水
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TB383(工程材料学)
国家自然科学基金21306119;四川省科技支撑计划2013FZ0034,2013JY0150;高等学校博士学科点专项科研基金20110181110003
2015-03-11（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）
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