反应磁控溅射制备CdTe太阳电池前电极ITO薄膜的性质研究

摘要：

使用反应直流磁控溅射法在玻璃衬底上制备了ITO薄膜作为CdTe多晶薄膜太阳电池的前电极,研究了氧分压和衬底温度对ITO薄膜光电性能及结构的影响.通过四探针、紫外可见分光光度仪,X射线衍射(XRD)和霍尔测试仪等测试手段对薄膜进行了表征.结果表明:随着氧分压和衬底温度的升高,ITO薄膜在可见光区域的透过性能明显增强,但是薄膜的载流子浓度下降,霍尔迁移率也逐渐降低,同时薄膜的电阻率逐渐增大.在结果分析的基础上,选用衬底温度300℃,1.4％的氧分压条件制备出可见光透过率在80％以上,电阻率为5.3×10-4Ωcm的ITO薄膜,将其应用于碲化镉多晶薄膜太阳电池,电池的转换率可以达到10.7％.

关键词：氧化铟锡、直流磁控溅射、电学性能、太阳电池

所属期刊栏目：40

分类号：O56(分子物理学、原子物理学)

资助基金：“863”计划2011AA050515;“973”计划2011CBA00708;四川省科技支撑计划2013GZX0145

在线出版日期：2014-05-08（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共6页

页码：265-270