ZnGa2Se4∶V3+光谱的理论研究

摘要：

应用区分t2和e轨道共价性的差异(包含静电部分和晶场部分)并考虑了低对称场的能量矩阵,在考虑和忽略静电参量B00的条件下,分别研究了t2和e轨道共价性的差异对三元半导体ZnGa,Se4∶V3+能级以及低对称分裂的影响;计算了ZnGa2Se4∶V3+晶体的能级的低对称分裂,并与实验值进行比较.计算结果与实验值符合很好.研究发现:在对ZnGa2Se4∶V3+晶体的光学性质进行理论研究时,在能量矩阵的静电和晶场部分同时考虑t2和e轨道共价性的差异是非常有必要的;晶场参量B00对ZnGa2Se4∶V3+的能级有重要影响,因此不能忽略.

关键词：V3+、ZnGa2Se4、光谱

所属期刊栏目：40

分类号：O48(固体物理学)

资助基金：中央高校基本科研业务费专项项目11NZYQN37

在线出版日期：2014-05-08（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：261-264