静电感应晶闸管负阻特性的数值模拟

摘要：

运用半导体器件数值模拟中的漂移-扩散模型,对静电感应晶闸管(SITH)的负阻转折特性进行了模拟和分析.通过对器件内场和载流子分布的模拟,揭示了SITH的负阻转折特性是源于高电平下双注入的加强以及伴随的耗尽层的收缩.模拟结果与实验结果吻合较好,对器件的设计与优化具有指导意义.

关键词：静电感应晶闸管、负阻转折、数值模拟

所属期刊栏目：32

分类号：TN3;O47(半导体技术)

在线出版日期：2006-10-23（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：1025-1029