10.3969/j.issn.0258-2724.2013.05.028
La0.7Sr0.3MnO3单晶外延薄膜制备及其磁电阻特性
为制得性能良好的涂层导体用La0.7 Sr0.3 MnO3 (LSMO)缓冲层薄膜、研究LSMO薄膜的低磁场磁电阻效应,利用高分子辅助化学溶液沉积法,在LaA1O3(LAO)单晶基底上制备了一系列钙钛矿LSMO单晶外延薄膜.考虑氩气和氧气退火气氛对LSMO成相的影响,研究了氩气退火条件下样品的织构、形貌情况和氧气退火条件下制得的样品的输运性质及磁电阻效应.研究结果表明:氩气下采用高分子辅助的化学溶液沉积法有利于制备出低成本、高性能的涂层导体用单一LSMO缓冲层;氧气下退火制得的薄膜c轴取向生长良好,并且电阻-温度曲线出现绝缘体-金属相变,其磁电阻值在200~300 K范围内不随温度变化,在1T磁场室温下磁电阻值约为-26.0%.
化学溶液沉积法、钙钛矿、缓冲层、庞磁电阻
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TB33;TB34;O482(工程材料学)
国家自然科学基金资助项目50872116,51002125;中央高校专项基础研究基金资助项目SWJTU11ZT16,SWJTU11ZT29,SWJTU09CX055;四川省基金资助项目2011JY0031;高等学校博士学科点专项科研基金资助项目200806130023
2013-11-22(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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