Ce掺杂的WO_3薄膜的电学性质

摘要：

在磁控溅射仪上用直流Ce和W共同磁控溅射方法,在载玻片上沉积Ce掺杂的WO_3,薄膜,以研究溅射功率对该薄膜电学性质的影响.薄膜在550℃的空气中退火1 h,用X射线衍射和扫描电子显微镜分析薄膜的显微结构.结果表明:Ce掺杂后薄膜呈岛状结构生长,有利于薄膜沿b轴方向生长;当Ce和W的溅射功率分别为40 W和160 W时,薄膜的非线性系数最大,达到7.92.

关键词：Ce掺杂、WO_3、薄膜、磁控溅射、显微结构、电学性质

所属期刊栏目：44

分类号：TN304;TN305.92(半导体技术)

资助基金：国家自然科学基金资助项目50772092

在线出版日期：2010-03-22（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：963-967