Al 掺杂 T-ZnO 晶须的光致发光及场发射性能

摘要：

用丝网印刷法将 Al 掺杂的 T-ZnO 晶须制备成薄膜,以研究其结构形貌、光致发光及场发射性能.所有发光谱均由强的紫外光发射(发光中心集中在373～383 nm)和宽的黄绿光发射(发光中心集中在510～540 nm)组成.ZnO薄膜的内部缺陷浓度决定黄绿光发射的强度.掺杂0.5 mol/L的Al样品的紫外光强度最大,场发射性能最好,其开启电场和阚值电场分别达到0.74 V/μm和2.6 V/μm,场增强因子值为30 249.

关键词：T-ZnO、晶须、场发射性能、紫外光发射

所属期刊栏目：43

分类号：TB34(工程材料学)

资助基金：四川省重点科技攻关项目2006z02-06-3

在线出版日期：2009-03-03（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：806-809,815