半导体非对称阶梯量子阱结构的二阶非线性极化率

摘要：

为优化二次谐波产生器件的性能,研究和开发新的非线性光学材料, 对半导体非对称阶梯量子阱结构的性质进行了研究.计算了共振增强效应下的二阶非线性光学系数χ(2)2ω,给出了χ(2)2ω随阱宽、阶梯的高度和宽度、势垒宽度、入射波长等因素变化的规律.

关键词：非线性光学、半导体物理、阶梯势阱、二阶非线性极化率

所属期刊栏目：37

分类号：O471.3(半导体物理学)

在线出版日期：2004-01-08（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共3页

页码：212-214