10.3969/j.issn.0258-2724.1999.04.021
垂直腔面发射半导体激光器输出特性的分析
依据腔量子电动力学中自发辐射增强效应,分析了垂直腔面发射半导体激光器的微腔效应,比较了普通开腔和三维封闭腔中的结果.从理论上推出多量子阱垂直腔面发射半导体激光器的速率方程.并讨论了其输出特性即粒子数反转和光输出随泵浦速率变化的关系,同时也讨论了利用微腔效应进一步降低半导体激光器激射阈值的途径.
半导体激光器、自发辐射、多量子阱、封闭腔
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TN365(半导体技术)
2004-01-08(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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