东西方面孔异族效应机理的电生理学证据

摘要：

采取事件相关电位方法研究东西方面孔记忆编码的差异(DM效应),从而阐明异族效应的神经机制.14名被试学习和再认东西方面孔照片的实验结果表明,无论记住与否,西方面孔产生的早期成分(潜伏期70～220ms)在头皮额部有一个比东方面孔更为正向的变化,表明在此阶段更多的资源分配于异族面孔,支持异族效应产生的特征选择假说.无论东方面孔还是西方面孔,记住与未记住相比较,则在额部和顶部产生潜伏期在晚期正成分(LPC)范围的正走向变化,但西方面孔在240～320ms潜伏期范围内,DM效应较小.另外,东方面孔在枕部诱发出一个明显的负波N260,而西方面孔产生的N260很小甚至没有,反映了大脑对不同种族面孔的编码机制有所不同,因而可能被称为"种族特异波".

关键词：事件相关电位、异族效应、DM效应、记忆

所属期刊栏目：35

分类号：B842.2(心理学)

资助基金：中国科学院"百人计划";教育部全国优秀博士学位论文作者专项基金;中国科学院知识创新工程项目KGCX2-SW-101

在线出版日期：2004-01-08（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共6页

页码：50-55