10.3969/j.issn.2095-5588.2015.02.005
事件相关电位测谎技术原理探析
目前国内对于事件相关电位测谎技术的研究主要侧重于方法设计和应用探索方面,而从原理上来看,事件相关电位测谎技术主要涉及记忆的再认和欺骗反应两个认知加工过程。本研究对记忆的再认和欺骗反应这两个过程进行了分析,并总结论述了个体在这两个认知加工过程中所产生的相关脑电效应及成分(Dm效应,P300等)和相关研究,深层次阐释了事件相关电位测谎技术的原理,为进一步提高事件相关电位测谎技术的效率提供了理论支持。
事件相关电位、测谎、记忆再认、欺骗反应
D917.2(法学各部门)
中国人民公安大学科研载体培育项目2014JKF02204。
2015-03-02(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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