短路电流阈值对IGBT元胞热特性影响的研究
简述了大功率IGB T短路机理的类型,从IGBT元胞本身的电流负载特性出发,分析了短路工况下的芯片自热效应,指出了IGBT短路承受能力的限制因素.以英飞凌公司的FF1400R17IP4功率模块为例,通过对芯片实际尺寸的分析得到了短路保护时间的常规方案,对元胞级建模仿真使IGBT在短路大电流工况下高温失效区的研究得到了进一步细化,说明了IGBT元胞热效应与母线电压的相关性,为后续的研究提供了支撑.
短路机理、IGBT退饱和、短路阈值时间、IGBT短路能量
TM921
2022-07-05(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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