玻璃微流检测芯片厚胶光刻温度条件的平衡优化

摘要：

采用正性光刻胶AZ 4620进行玻璃微流检测芯片的厚胶光刻制备,试验了各工艺阶段不同的温度参数条件对光刻胶浮雕面形、光刻胶与玻璃基质的粘附性、光刻胶在刻蚀液中的耐受时间、刻蚀速率和最大刻蚀深度等因素的影响.结果表明,软烘温度直接影响曝光显影工艺质量;后烘温度对显影效果有一定影响;坚膜温度对光刻胶浮雕面形、耐受时间有较大影响;而刻蚀环境温度直接影响着刻蚀速率、刻蚀深度和刻蚀面形效果.经平衡优化后,得出了理想的温度参数选取方案.

关键词：微流检测芯片、紫外厚胶光刻、温度平衡优化

分类号：TN305.7(半导体技术)

在线出版日期：2016-11-22（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：39-42