直拉单晶硅体生长过程中的控氧技术研究

摘要：

单晶硅的氧含量及其均匀性可显著影响各种硅基器件的性能，也是在硅晶体生长过程中较难控制的参数。本文分析了直拉单晶硅生产过程中氧杂质的引入机理及其对晶体质量的影响，并通过改变氩气流量或炉内压力、热场几何尺寸、埚位、晶体转速和坩埚转速等拉晶条件，以及采用相应的磁拉技术来控制晶体中的氧含量及分布均匀性，提高晶体的质量。

关键词：直拉硅单晶、控氧、均匀性、磁场

分类号：TN304(半导体技术)

资助基金：2011年衢州市科技计划资助项目20111041

在线出版日期：2013-12-19（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：98-100,101