10.3969/j.issn.1003-5311.2011.06.029
磷锗锌单晶生长装置的设计与优化
根据磷锗锌(ZnGeP2)晶体的生长特性,分析了ZnGeP2单晶生长对生长炉温场的要求.在两温区单晶生长炉的基础上,设计出适合ZnGeP2单晶生长的三温区管式生长炉,并对其温场进行了设计与优化.在经优化的温场中进行ZnGeP2单晶生长,获得了尺寸达φ20 mm× 30 mm、外观完整的单晶体.
磷锗锌、晶体生长、三温区、温场设计
TB34;O782(工程材料学)
四川省科技厅资金资助项目2010ZR0123中国民用航空飞行学院科研基金资助项目J2009-81
2011-10-21(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
共4页
79-82