Sb掺杂量对ATO半导体颜料涂层光学性能的影响

摘要：

采用共沉淀法合成了ATO半导体颜料的前驱体,前驱体经过烧结获得半导体颜料,通过XRD、SEM、EDS等手段对颜料进行表征,研究了Sb掺杂量对ATO半导体颜料粉体电阻率和涂层光学性能的影响.研究结果表明,Sb掺杂量对颜料的粉体电阻率和涂层光学性能影响明显,当Sb掺杂量为6 %(质量分数)时,制备的颜料粉体电阻率为15.4 Ω·cm,涂层红外发射率仅为0.71.

关键词：共沉淀法、ATO、Sb掺杂量、粉体电阻率、光学性能

分类号：TN219(光电子技术、激光技术)

在线出版日期：2010-08-31（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共3页

页码：80-82