10.3969/j.issn.1003-5311.2008.06.035
SiO2气凝胶薄膜的介电性能
采用MIS结构测量了SiO2气凝胶薄膜的介电性能,其介电常数可低于2.5.验正了薄膜的介电常数与孔洞率或折射率的计算公式;探讨了SiO2气凝胶薄膜的介电色散行为和介电极化机制,指出了薄膜的低介电常数是其纳米多孔结构和疏水性能共同作用的结果.
气凝胶薄膜、低介电常数、纳米多孔结构、疏水性能、介电性能、介电色散、结构测量、计算公式、极化机制、共同作用、折射率、孔洞率、行为
TQ127.2
武器装备预研项目41312040307
2008-09-01(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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