化学机械抛光过程中抛光垫修整的研究

摘要：

抛光垫是化学机械抛光(CMP)系统的重要组成部分,具有贮存、输送抛光液等作用,对晶片的去除率和平整度起着至关重要的作用.本文介绍和探讨了CMP过程中抛光垫修整对抛光垫表面结构以及对CMP过程影响规律.研究结果表明,抛光垫与晶片的接触面积、抛光速率、平坦化效果等都受到抛光垫修整的影响.大的修整深度能够获得较高的抛光去除率,而较小的修整深度则更有利于获得较好的平坦化效果.修整效果可以通过修整器的设计、修整工艺参数以及加工参数进行调整.

关键词：化学机械抛光、抛光垫、修整

分类号：TG662

资助基金：浙江省自然科学基金Y104494

在线出版日期：2007-04-26（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：24-27