CVD-Si3N4薄膜工艺及性能研究

摘要：

以三氯硅烷和氨气作为硅源和氮源,利用低压化学气相沉积工艺(LPCVD)在烧结氮化硅表面制备氮化硅薄膜.考察了工艺参数对沉积速率的影响,并对薄膜的组成、结构及硬度等性能进行了分析.结果表明,当载气为N2或N2+H2、沉积温度为800℃、NH3/HSiCl3流量比为4时是较佳的工艺条件,此时薄膜沉积速率可达23.4 nm/min,其膜层主要由Si-N组成,并含有部分Si-O,硬度为HV 2 865.

关键词：氮化硅薄膜、CVD、沉积速率、化学组成

分类号：TG1(金属学与热处理)

在线出版日期：2006-12-25（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共3页

页码：36-38