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10.3969/j.issn.1003-5311.2006.11.010

低压化学气相淀积多晶硅薄膜工艺研究

引用
在研制器件过程中,多晶硅制备的工艺条件对其性能影响较大.讨论了低压化学气相淀积(LPCVD)关键材料多晶硅薄膜的基本原理,考察了工作压力、反应温度等对多晶硅薄膜淀积速率的影响,以及影响多晶硅薄膜质量的因素,提出了改进措施,优化了多晶硅制备工艺参数,制备了合格的多晶硅薄膜.

低压化学气相淀积、多晶硅薄膜、淀积速率、优化

TG1(金属学与热处理)

2006-12-25(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)

共2页

34-35

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1003-5311

11-1765/T

2006,(11)

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