低压化学气相淀积多晶硅薄膜工艺研究

摘要：

在研制器件过程中,多晶硅制备的工艺条件对其性能影响较大.讨论了低压化学气相淀积(LPCVD)关键材料多晶硅薄膜的基本原理,考察了工作压力、反应温度等对多晶硅薄膜淀积速率的影响,以及影响多晶硅薄膜质量的因素,提出了改进措施,优化了多晶硅制备工艺参数,制备了合格的多晶硅薄膜.

关键词：低压化学气相淀积、多晶硅薄膜、淀积速率、优化

分类号：TG1(金属学与热处理)

在线出版日期：2006-12-25（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共2页

页码：34-35