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10.3969/j.issn.1003-5311.2004.02.021

高纯电子铝箔在HCl-H2C2O4中的电解腐蚀行为

引用
在HCl-H2C2O4中电解高纯低压电子铝箔,控制合适的电解温度、[Cl-]含量、[Al3+]/[H+]比值及一定的腐蚀电量,可获得较高质量的电解电容器用电极箔.

低压铝箔、H2C2O4、电解腐蚀

TQ15

2004-12-23(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)

共3页

48-50

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1003-5311

11-1765/T

2004,(2)

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