快速退火工艺对BTO薄膜结构的影响

摘要：

采用金属有机化学气相沉积(MOCVD)工艺在Ts=440 ℃条件下制备组份Bi/Ti=1.44的非晶态薄膜,经过快速退火处理,制备择优取向的Bi4Ti3O12 铁电薄膜(称BTO薄膜),较好的退火温度为630℃、时间为60s;快速退火对薄膜组分的影响不大.

关键词：金属有机化学气相沉积、X射线衍射、快速退火、能谱AX

分类号：TN3(半导体技术)

在线出版日期：2004-01-08（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共2页

页码：29-30