低电压下CMOS数字电路概率模型研究

摘要：

为解决数字电路低功耗问题,电路工作电压被不断降低,导致电路逻辑器件呈现概率特性.本文提出了低电压下CMOS数字电路的错误概率模型,并完成硬件电路测试验证.本文首先详述了深亚微米(DSM)量级的门电路及模块在低电压供电条件下导致器件出错的因素,结合概率器件结构模型推导基本逻辑门概率模型,并提出了状态转移法用于完成由门级到模块级的概率分析模型；我们搭建硬件平台对CMOS逻辑芯片进行了低供电压测试,通过分析理论推导结果与实测结果,验证并完善了分析模型.实验结果表明,由状态转移法推导的电路概率模型符合电路实际性能,从而为构建低电压下数字电路概率模型提供了可靠分析模型.

关键词：低电压、概率器件、概率模型、状态转移法

所属期刊栏目：28

分类号：TN79+1(基本电子电路)

在线出版日期：2012-06-26（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共6页

页码：145-150