场效应管火灾危险性及痕迹鉴定

摘要：

为研究场效应管火灾危险性以及形成的痕迹特征,以常见的MOSFET为研究对象分别进行发热和击穿试验,并分析形成的痕迹特征.试验结果表明:MOSFET发热主要与驱动电压、开关频率和散热设计有关,当驱动电压不足、开关频率高或散热设计差时会导致MOSFET发热增大;MOSFET击穿放电会伴随强烈的电弧,甚至可引发明火,在击穿后大部分S极上部壳体留下明显的击穿痕迹,同时各极之间电阻值明显降低.试验结果可为相关痕迹鉴定提供技术方法.

关键词：场效应管、火灾危险性、发热、击穿、痕迹鉴定、火灾调查

所属期刊栏目：38

分类号：X928.7;TU998.12(安全管理（劳动保护管理）)

资助基金：公安部四川消防研究所基本科研业务费专项项目T2018880104

在线出版日期：2020-03-29（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：1789-1792