飞秒激光单路径刻蚀硅微槽深度研究

摘要：

对飞秒激光在单晶硅片上单路径加工微槽进行了研究.在固定激光频率和进给深度的条件下,对不同激光功率、扫描次数以及扫描速度对微槽深度的影响展开对比试验,通过COMSOL软件对激光加工硅片温度分布及微槽内激光反射进行数值分析.研究发现,微槽截面形状与激光能量分布特点相关,高频飞秒激光的热累积效应易氧化微槽底部,限制了激光对其的进一步加工;等离子体的屏蔽效应则使得微槽深度随着扫描速度先增大后减小.

关键词：飞秒激光、硅、微槽、氧化、等离子体屏蔽

在线出版日期：2020-03-16（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：90-93