10.3969/j.issn.1673-5587.2019.12.038
飞秒激光单路径刻蚀硅微槽深度研究
对飞秒激光在单晶硅片上单路径加工微槽进行了研究.在固定激光频率和进给深度的条件下,对不同激光功率、扫描次数以及扫描速度对微槽深度的影响展开对比试验,通过COMSOL软件对激光加工硅片温度分布及微槽内激光反射进行数值分析.研究发现,微槽截面形状与激光能量分布特点相关,高频飞秒激光的热累积效应易氧化微槽底部,限制了激光对其的进一步加工;等离子体的屏蔽效应则使得微槽深度随着扫描速度先增大后减小.
飞秒激光、硅、微槽、氧化、等离子体屏蔽
2020-03-16(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
共4页
90-93