碳纳米管薄膜场效应晶体管低温电学特性

摘要：

基于网络状碳纳米管(carbon nanotube,CNT)薄膜制备了网络状碳纳米管薄膜场效应晶体管(carbon nanotube thin film field effect transistor,CNT-TFT),研究了 温度为100～300 K时,CNT-TFT的电学特性,并对关键电学参数,如开态电流Ion、跨导Gm、阈值电压Vth和亚阈值摆幅Ss等,进行了深入分析.研究结果表明,随着温度的降低,Gm出现了下降,Vth向左漂移;在Gm和Vth共同作用下,Ion显著下降.通过对电学参数随温度演化机制的深入分析,发现器件Gm的降低不仅与CNT内的散射及CNT-金属接触电阻相关,而且与交叠的碳纳米管间的结电阻密切相关.同时,研究还表明,低温下,界面俘获中心对电子俘获概率的减小是引起器件Vth和Ss变化的主要因素.

关键词：碳纳米管薄膜场效应晶体管、低温、电学特性、散射、界面俘获中心

所属期刊栏目：14

分类号：O484;TN321(固体物理学)

资助基金：北京市教委基金委联合基金资助项目KZ202210009014

在线出版日期：2023-10-31（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：217-221