基于静态随机存取存储器单粒子效应的中子能谱测量方法

摘要：

通过对静态随机存取存储器(static random-access memory,SRAM)单粒子翻转截面的研究,提出了一种更有效、成本更低、可测量一到几十兆电子伏能量范围内中子能谱的新方法.利用 已发表单粒子翻转截面信息的SRAM,采用奇异值分解(singular value decomposition,SVD)方法进行解谱,可测试低能中子源的中子能谱.在进一步的研究中,利用信息熵理论研究了 SRAM的数量与能谱测试准确性的关系.研究结果表明,解谱结果的精度在很大程度上取决于SRAM翻转截面的敏感区宽度和参与解谱的不同SRAM的数量.

关键词：中子能谱测试、单粒子翻转、SRAM翻转截面、奇异值分解

所属期刊栏目：14

分类号：O571;TL817(原子核物理学、高能物理学)

资助基金：广东省基础与应用基础研究基金资助项目;国家重点实验室基金

在线出版日期：2023-10-31（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共6页

页码：84-89