一款商用MRAM电离总剂量效应研究

摘要：

针对一款商用磁阻式随机存取存储器(magnetoresistive random access memory,MRAM)芯片,进行了静态总剂量和动态总剂量电离辐射效应研究.利用中国计量科学研究院的60Coy辐射源对商用MRAM进行了不同测试向量、不同测试模式、有无保护层、加电模式及不加电模式下的总剂量效应试验研究.结果表明静态辐照下芯片的抗总剂量能力最差,其次为动态读模式、动态写模式,不加电模式下芯片的抗总剂量能力最强,这一结果说明磁存储单元具有很强的抗总剂量能力.针对不同测试向量(00,FF,斜三角),研究结果表明:静态模式下,抗辐射能力FF＜斜三角＜00;动态读模式下,抗辐射能力FF＜00＜斜三角.与无屏蔽层电路相比,有屏蔽层电路的抗总剂量能力提高了 23倍.本文对不同测试模式下芯片出现的数据位错误类型进行了统计,并对出现的原因进行了分析说明,这一结果可为宇航用MRAM芯片的加固设计提供指导和参考.

关键词：动态总剂量、静态总剂量、MRAM、数据位错误

所属期刊栏目：14

分类号：TL99;TP302

资助基金：国家自然科学基金;国家自然科学基金

在线出版日期：2023-04-28（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共7页

页码：173-179