应力对3-1-3GeP3纳米器件电输运性质的调控

摘要：

为避免2维材料与金属导线之间的接触电阻,构建了以呈金属特性的3层GeP3为导线和以呈半导体特性的单层GeP3为中心散射区的3-1-3 GeP3纳米器件,并用密度泛函理论和非平衡格林函数近似相结合的第一性原理方法,计算了该器件的电输运特性及应力对输运性质的影响.结果 表明,应力可以显著调节器件在费密面处的态密度,从而控制器件的透射因数和IV特性;当中心散射区的单层GeP3的线应变大于6％时,扶手椅型3-1-3 GeP3器件将从导通状态转为非导通状态,在偏压为-0.2～0.2V时,电流近似为零;不同层数的相同材料可以构成低欧姆接触、无失配的纳米器件,应力可以有效调节纳米器件的电输运特性.

关键词：应力调控、2维材料、GeP3、第一性原理方法、态密度、透射因数、电流-电压曲线

所属期刊栏目：11

分类号：O469(真空电子学（电子物理学）)

资助基金：国家自然科学基金资助项目11564217

在线出版日期：2020-07-20（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：40-44