激光尾波场电子轰击多层靶的正电子产额模拟计算

摘要：

利用超强激光驱动相对论正电子产生时,为提高正电子的产额,提出了基于激光尾波场电子轰击多层靶的方案,将转换靶由单层厚靶替换为多层薄靶,并通过蒙特卡罗程序FLUKA对尾波场电子轰击多层靶及单层靶产生正电子的全过程进行了模拟分析.结果表明,多层靶的正电子总产额约为单层靶的 2.4倍,尾场电子的能量利用率是单层靶的 1.2 倍;对于多层靶,正电子产额最大时,子靶厚度d、靶间距L和靶半径R之间的关系满足RL/d为常数,正电子产额随靶层数的增加而增大,当靶层数大于 15 时,正电子产额不再明显增加.

关键词：超强激光、尾波场电子、正电子产额

所属期刊栏目：10

分类号：O539(等离子体物理学)

在线出版日期：2020-03-12（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共7页

页码：21-27