1MeV电子室温辐照对中波HgCdTe光伏器件暗电流的影响

摘要：

在室温下开展了1 MeV电子对HgCdTe光伏器件的辐照试验,通过比较电子辐照前、后及室温退火后器件的I-V特性与零偏动态电阻R0,分析了电子辐照对HgCdTe光伏器件暗电流及R0的影响机制.结果 表明,随着电子吸收剂量的增加,HgCdTe光伏器件的暗电流减小,R0增大.室温退火后,HgCdTe光伏器件的暗电流和R0均有明显恢复.分析认为,电子辐照在HgCdTe光伏器件中产生位移损伤,在P区中引入大量的施主型缺陷,使P区空穴浓度迅速下降,少数载流子寿命增加,从而导致暗电流减小,R0增大.

关键词：HgCdTe、光伏器件、暗电流、电子辐照、辐射效应、位移损伤

所属期刊栏目：10

分类号：TP211.6(自动化技术及设备)

资助基金：国家自然科学基金资助项目61704190,61640401

在线出版日期：2019-11-20（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共7页

页码：59-65