基区表面掺杂浓度对NPN型晶体管电离辐射效应的影响

摘要：

针对不同基区表面掺杂浓度的NPN型晶体管,采用60Co γ射线辐射源开展辐照实验,根据测得的电学参数及深能级瞬态谱,分析了NPN型晶体管的损伤效应机制.研究结果表明,在相同吸收剂量下,基区表面掺杂浓度高的NPN型晶体管比掺杂浓度低的NPN型晶体管对电离辐射更为敏感,其基极电流增幅更大;随着吸收剂量的增加,NPN型晶体管的电流增益退化程度加剧;在基区表面掺杂浓度高的NPN晶体管中,电离辐射诱导的氧化物电荷和界面态能级位置均更接近于禁带中央,导致复合率增大,从而使晶体管的电学性能退化程度加剧.

关键词：NPN型晶体管、表面掺杂浓度、电离损伤、深能级瞬态谱

所属期刊栏目：10

分类号：TN431(微电子学、集成电路（IC）)

资助基金：强脉冲辐射环境模拟与效应国家重点实验室基金资助项目SKLIPR1712

在线出版日期：2019-11-20（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：54-58