JFET的HPM及EMP损伤效应和机理分析

摘要：

建立了N型结场效应晶体管(JFET)在电磁干扰下的2维电热模型,在栅极分别注入高功率微波(HPM)和强电磁脉冲(EMP)时,对工作在饱和区的JFET晶体管的瞬态响应进行了仿真分析.结果 表明,注入HPM时,器件内部的峰值温度呈周期性的“升高-下降-升高”变化规律,在信号工作的正、负周期,器件内部峰值温度均呈上升趋势,在器件的栅极和源极出现了2个烧毁点;注入EMP时,器件内部峰值温度上升呈“快速-缓慢-急剧”的变化趋势,易损伤部位出现在源极下方近栅极处,损伤机理与注入HPM时的正半周期损伤机理相似.通过拟合分析,分别得到了HPM和EMP注入下,能量损伤阈值和功率损伤阈值随脉宽的变化关系,并通过比较发现,在相同的脉宽下,注入EMP比注入HPM需要更少的能量和功率就可以毁伤器件.

关键词：结型场效应晶体管、高功率微波、电磁脉冲、损伤效应、脉宽效应

所属期刊栏目：10

分类号：TN322.8(半导体技术)

资助基金：中国工程物理研究院综合电磁环境科学技术重点实验室开放基金资助项目2015-0214.XY.K

在线出版日期：2019-11-20（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共7页

页码：22-28