不同注量率质子辐照对CCD参数退化的影响分析

摘要：

对一款CCD进行了3 MeV质子辐照试验和退火试验,获得了2种注量率质子辐照下CCD参数的退化规律,分析了CCD产生缺陷与质子注量率之间的关系.研究表明:不同注量率质子辐照下,CCD中产生的位移损伤缺陷存在差异,但CCD的暗信号和电荷转移效率没有明显改变,且室温退火后,不同质子注量率辐照下,CCD受到的辐射损伤差异更小.研究结果可为揭示地面模拟实验中质子入射CCD产生缺陷的机制、影响因素及建立质子辐射效应损伤模型提供理论与试验方法的支撑.

关键词：质子、电荷耦合器件、辐射效应、注量率、缺陷

所属期刊栏目：9

分类号：TP211.6;O472.8(自动化技术及设备)

在线出版日期：2018-07-23（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：65-68