基于SiC的裂变靶室中子灵敏度标定技术

摘要：

为实现对基于SiC探测器的裂变靶室极低中子灵敏度的准确标定,提出了利用不同的中子源分别测量中子探测效率与裂变碎片的等效平均沉积能量,再将实验结果合成得到中子灵敏度的标定方法.利用该方法,获得了SiC探测器与不同厚度235 U或238 U裂变靶组成的探测系统对14.9 MeV中子的响应灵敏度,灵敏度的相对标准不确定度为7.5％(k=1),较好地满足了应用需求.与传统带屏蔽体的标定方法相比,该方法测得的中子灵敏度可标定下限拓展了1个量级以上,同时,散射本底的影响可以通过挡影锥的方法准确扣除,显著提高了标定结果的精度.

关键词：碳化硅探测器、裂变靶室、脉冲中子探测、中子灵敏度标定

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分类号：TL816;O571.53(粒子探测技术、辐射探测技术与核仪器仪表)

资助基金：国家自然科学基金资助项目11505140

在线出版日期：2018-07-23（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共6页

页码：19-23,35