Si-PIN半导体探测器灵敏区厚度的模拟计算

摘要：

利用Geant4工具包,采用强迫碰撞方法,模拟氘氚聚变中子与反冲质子法脉冲中子探测系统中的聚乙烯靶作用产生反冲质子的过程,计算了反冲质子在不同厚度Si-PIN半导体探测器灵敏区中的能量沉积谱,并将模拟计算结果与实验结果进行比较,分析给出了探测器灵敏区厚度.结果表明,计算得到的探测器灵敏区厚度与探测器灵敏区真实厚度在3％以内吻合,证明了模拟计算方法的可行性.同时,还计算了不同厚度的铝吸收片条件下,反冲质子在探测器灵敏区内的能量沉积,得到了沉积能量随铝吸收片厚度的变化曲线,可为反冲质子法脉冲中子探测器系统设计提供参考.

关键词：反冲质子、Si-PIN半导体探测器、Geant4工具包、灵敏区、能量沉积

所属期刊栏目：8

分类号：O571.53(原子核物理学、高能物理学)

资助基金：国家自然科学基金青年基金资助项目11505136

在线出版日期：2017-11-30（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：1-5